傳送(sòng)功率比(bi)較大的(de)情況下(xia),功率器(qì)件一般(ban)采用IGBT,由(you)🚶于IGBT存在(zai)關🐕斷電(dian)流拖尾(wěi)現象,所(suo)以工作(zuò)頻率比(bǐ)較低;傳(chuan)送🍉功率(lǜ)比較小(xiao)的,可以(yi)采用MOSFET,工(gōng)作頻率(lǜ)就比較(jiao)高。
傳送(sòng)功率比(bi)較大的(de)情況下(xia),功率器(qì)件一般(ban)采用IGBT,由(you)🚶于IGBT存在(zai)關🐕斷電(dian)流拖尾(wěi)現象,所(suo)以工作(zuò)頻率比(bǐ)較低;傳(chuan)送🍉功率(lǜ)比較小(xiao)的,可以(yi)采用MOSFET,工(gōng)作頻率(lǜ)就比較(jiao)高。
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