傳送(sòng)功率比(bǐ)較大的(de)情況下(xià),功率器(qì)件一般(bān)采用IGBT,由(yóu)于IGBT存在(zài)關斷電(diàn)流拖尾(wěi)現象,所(suǒ)以工作(zuò)頻率比(bi)較低;傳(chuan)送🎯功率(lü)比較小(xiao)的,可以(yǐ)采用MOSFET,工(gōng)作頻率(lü)就比較(jiào)高👨❤️👨。
傳送(sòng)功率比(bǐ)較大的(de)情況下(xià),功率器(qì)件一般(bān)采用IGBT,由(yóu)于IGBT存在(zài)關斷電(diàn)流拖尾(wěi)現象,所(suǒ)以工作(zuò)頻率比(bi)較低;傳(chuan)送🎯功率(lü)比較小(xiao)的,可以(yǐ)采用MOSFET,工(gōng)作頻率(lü)就比較(jiào)高👨❤️👨。
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